Diodi a valanga sensibili al singolo fotone (single photon avalanche diode, SPAD) sono stati irraggiati con dosi di raggi X fino ad 1 Mrad(SiO2) e fluenze di neutroni da 1 MeV fino a 1011 cm-2. In particolare, negli SPAD esposti a neutroni, la distribuzone dell’incremento del tasso di conteggi di buio risulta direttamente legata con la distribuzione dell’energia non ionizzante depositata nel volume attivo del dispositivo. Lo studio del danno da radiazione negli SPAD è di importanza cruciale per stimare il tempo di vita di un sistema di rivelazione basato su questo tipo di sensori e può pertanto essere utilizzato al fine di ottimizzare il progetto dal punto di vista della tolleranza alle radiazioni.
Electronic Instrumentation Laboratory
UNIVERSITY OF PAVIA
