Nell’ambito del progetto FINFET16V2, finanziato dall’INFN, il gruppo di Strumentazione Elettronica ha sviluppato, in collaborazione con il gruppo di Microelettronica dell’Università di Milano Bicocca, un amplificatore di corrente per la misure della corrente di gate in transistori CMOS appartenenti ad una tecnologia da 28 nm. I dispositivi sotto misura sono transistori NMOS con diversa lunghezza e larghezza di canale. Ciascuno di essi è integrato monoliticamente con un amplificatore di corrente. L’attività di ricerca svolta nell’ambito di questo progetto ha anche lo scopo di studiare gli effetti della radiazione ionizzante sulla corrente di gate. A questo scopo, è in fase di sviluppo un sistema automatico per la misura della corrente di gate durante gli irraggiamenti.
